Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов  

Авторы
 Петросянц К.О.
 Кожухов М.В.
Год публикации
 2016
УДК
 004.942:621.382.33

Аннотация
 Представлены результаты TCAD моделирования деградации характеристик Si и SiGe биполярных транзисторов после облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами с использованием новых моделей, включенных в Sentaurus Synopsys. Общая концепция моделей основана на учете влияния ионизационных эффектов и дефектов смещения на электрофизические параметры τ, S, Nit, Qox. Представлены результаты сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик Si и SiGe биполярных транзисторов после радиационного воздействия, которые показывают погрешность 10-20% широком диапазоне потоков и доз.
Ключевые слова
 кремниевые биполярные транзисторы, кремний-германиевые гетеропереходные биполярные транзисторы, приборно-технологическое моделирование, радиационное излучение, нейтроны, протоны, гамма-кванты.
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Кожухов М.В. TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2016. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2016. Часть IV. С. 2-9.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D089.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН