Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Оптимизация параметров микросхемы без изменения логического описания при технологических нормах 28нм  

Авторы
 Власов А.О.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382.2/.3

Аннотация
 В данной статье рассматривается такой вопрос, как оптимальное использование в маршруте проектирования библиотечных элементов, разработанных по технологическим нормам 28нм. Были проанализированы такие параметры, как быстродействие и статическая мощность, доступных для проектирования библиотек стандартных ячеек и блоков памяти. Данный аспект рассмотрен в контексте подходов к оптимизации параметров блоков микросхемы без изменения их логического описания (RTL).
Ключевые слова
 TSMC 28нм, библиотеки стандартных ячеек, компиляторы блоков памяти, снижение мощности токов утечки, оптимизация быстродействия.
Ссылка на статью
 Власов А.О. Оптимизация параметров микросхемы без изменения логического описания при технологических нормах 28нм // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 1. С. 64-69.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D110.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН