Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования  

Авторы
 Селецкий А.В.
 Шелепин Н.А.
 Смолин А.А.
 Уланова А.В.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382.2/.3

Аннотация
 В данной статье исследуется влияние технологического разброса электрофизических параметров элементов СБИС на токи утечки схем, вызываемые воздействием радиации. В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования технологического разброса и подтверждена возможность его существенного влияния на параметры стойкости КМОП СБИС по критерию статического тока потребления к величине накопленной дозы радиации.
Ключевые слова
 КМОП, технологический разброс, радиационная стойкость, накопленная доза радиации.
Ссылка на статью
 Селецкий А.В., Шелепин Н.А., Смолин А.А., Уланова А.В. Исследование влияния разброса технологических параметров СБИС на стойкость к эффектам накопленной дозы радиации с помощью средств приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. №4. С. 178-183.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D121.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН