Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам  

Авторы
 Чаплыгин Ю.А.
 Балашов А.Г.
 Евдокимов В.
 Ключников А.С.
Год публикации
 2016
УДК
 538.915+621.382.333.33

Аннотация
 При переходе к более современному поколению БиКМОП технологии пропорциональное уменьшение размеров n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ) не однозначно ведёт к увеличению его быстродействия и требует всесторонней адаптации структуры. С помощью настроенной САПР Synopsys TCAD разработан и реализован подход к масштабированию и конструктивно-технологической модификации структуры ГБТ для достижения значения граничной частоты выше 100 ГГц.
Ключевые слова
 кремний-германий, SiGe ГБТ, БиКМОП технология, быстродействие.
Ссылка на статью
 Чаплыгин Ю.А., Балашов А.Г., Евдокимов В., Ключников А.С. Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм топологическим размерам // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 32-36.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D139.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН