Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Разработка СВЧ фазовращателя на основе технологии КНИ 0,18 мкм  

Авторы
 Ефимов А.Г.
 Копцев Д.А.
 Кузнецова О.
Год публикации
 2016
УДК
 621.37

Аннотация
 Рассмотрены и определены основные конструктивные решения по реализации сверхвысокочастотных фазовращающих устройств. В данной статье представлены результаты моделирования, разработанного дискретного фазовращателя. Осуществлено моделирование переключающего элемента схемы. Предложен алгоритм оптимизации его параметров. Моделирование проведено в среде Cadence Virtuoso. Актуальность работы заложена в решении проблемы импортозамещения компонентов для микросхем. Целью статьи является поиск конструкций, которые позволят реализовать 6 разрядный полупроводниковый фазовращатель для X-диапазона частот на основе отечественной технологии КНИ 0,18 мкм в ОАО «НИИМЭ» и Микрон.
В работе обосновывается использование кремниевой КМОП КНИ технологии с топологическими нормами 0,18 мкм. Рассматриваются преимущества КНИ технологии для изготовления СВЧ ИС.
Ключевые слова
 полупроводниковый фазовращатель, технология кремний-на-изоляторе, СВЧ диапазон, SPDT-переключатель
Ссылка на статью
 Ефимов А.Г., Копцев Д.А., Кузнецова О. Разработка СВЧ фазовращателя на основе технологии КНИ 0,18 мкм // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. №3. С. 33-38.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D172.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН