Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Особенности проектирования и изготовления МИС СВЧ GaN фазовращателей  

Авторы
 Тимошенко А.Г.
 Белоусов Е.О.
 Моленкамп К.М.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382.323:621.396.6

Аннотация
 В статье представлены результаты по проектированию МИС СВЧ фазовращателей на основе GaN. Разработана и описана модель транзистора для реализации фазовращателя. Для схемы проведена оптимизация и моделирование для каждой рабочей частоты 0,1 – 31,5 ГГц. Фазовращатель выполнен в виде переключаемого звена ФВЧ, обеспечивающего фазовый сдвиг 90° при минимальных потерях на рабочей частоте. Рассчитаны номиналы элементов ФВЧ для работы фазовращателя в диапазонах частот до 55 ГГц.
Ключевые слова
 СВЧ, МИС, широкозонные полупроводники, GaN, фазовращатели, малосигнальная модель, s-параметры.
Ссылка на статью
 Тимошенко А.Г., Белоусов Е.О., Моленкамп К.М. Особенности проектирования и изготовления МИС СВЧ GaN фазовращателей // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2016. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2016. Часть III. С. 25-32.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D169.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН