Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Механизмы многократных сбоев в микросхемах памяти  

Авторы
 Чумаков А.И.
 Согоян А.В.
 Боруздина А.Б.
 Смолин А.А.
 Печенкин А.А.
Год публикации
 2016
УДК
 621.382.323

Аннотация
 В настоящей работе предложена классификация основных механизмов возникновения многократных сбоев при воздействии ТЗЧ. Представлены модели и результаты экспериментальных исследований для различных механизмов многократных сбоев.
Ключевые слова
 Многократные сбои (МС), СОЗУ, диффузия, вторичные частицы.
Ссылка на статью
 Чумаков А.И., Согоян А.В., Боруздина А.Б., Смолин А.А., Печенкин А.А. Механизмы многократных сбоев в микросхемах памяти // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2016. № 4. С. 145-152.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2016/pdf/D188.pdf

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН