Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Оценка на основе TCAD моделирования устойчивости к сбоям элементов на базе ячеек STG DICE для 65-нм КМОП блоков ассоциативной памяти  

Авторы
 Катунин Ю.В.
 Стенин В.Я.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-4-182-189
УДК
 621.382+621.396.6

Аннотация
 Приводятся результаты моделирования средствами TCAD КМОП элементов по объёмной 65-нм КМОП технологии на основе ячейки памяти STG DICE во время сбора заряда с треков одиночных ядерных частиц, направленных по нормали к поверхности кристалла. Логические элементы предназначены для ассоциативных запоминающих устройств и буферов преобразования адресов. Сбор заряда с треков с линейными потерями энергии частицами на них в диапазоне до 60 МэВ×см2/мг не приводят к сбоям ячеек STG DICE и элементов на их основе. В выходной комбинационной логики элементов совпадения генерируются при сборе заряда импульсы помех длительностью менее 0.6 нс в диапазоне линейных потерь энергии на треках 30–60 МэВ×см2/мг
Ключевые слова
 логический элемент, моделирование, ядерная частица, устойчивость, компенсация импульсов помех, трек, ячейка памяти.
Ссылка на статью
 Катунин Ю.В., Стенин В.Я. Оценка на основе TCAD моделирования устойчивости к сбоям элементов на базе ячеек STG DICE для 65-нм КМОП блоков ассоциативной памяти // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 4. С. 182-189.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D015.pdf

Copyright © 2009-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН