Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Моделирование схем с сегнетоэлектрическими емкостями  

Авторы
 Гурарий М.М.
 Жаров М.М.
 Рассадин А.Э.
 Русаков С.Г.
 Ульянов С.Л.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-1-83-88
УДК
 004.942

Аннотация
 При использовании симуляторов типа SPICE для моделирования сегнетоэлектрических схем возникают трудности из-за отрицательных значений дифференциальной емкостей и наличия плавающих узлов между емкостями. В статье предлагаются модели нелинейных емкостей в виде эквивалентных схем с заданными прямыми или обратными вольт-кулонными характеристиками. Дополнительный “зарядовый” вывод моделей, позволяет анализировать и инициализировать заряды емкостей, а также моделировать цепочки емкостей с плавающими узлами, в которых определены уровни захваченных зарядов. Предложенные подходы проиллюстрированы на ряде тестовых примеров.
Ключевые слова
 схемотехническое моделирование, сегнетоэлектрики, отрицательная емкость, нелинейная емкость, модель емкости, управляемые источники, плавающий узел
Ссылка на статью
 Гурарий М.М., Жаров М.М., Рассадин А.Э., Русаков С.Г., Ульянов С.Л. Моделирование схем с сегнетоэлектрическими емкостями // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 1. С. 83-88.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D043.pdf

Copyright © 2009-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН