Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030  

Авторы
 Дворников О.В.
 Чеховский В.А.
 Дятлов В.Л.
 Прокопенко Н.Н.
 Будяков П.С.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-4-10-16
УДК
 621.382

Аннотация
 Представлена краткая информация о новом биполярно-полевом (BiJFET) базовом матричном кристалле (БМК) МН2ХА030, предназначенном для ускоренного создания аналоговых интегральных схем (ИС), сохраняющих свою работоспособность при воздействии проникающей радиации и предельно низких температур (до минус 1970С). Рассмотрены средства схемотехнического проектирования низкотемпературных аналоговых ИС на основе САПР LTSpice и встроенных типовых моделей полевых и биполярных транзисторов БМК. Разработаны рекомендации по выбору статических режимов с учетом зависимости коэффициента усиления по току базы транзисторов БМК от тока эмиттера при разных температурах и потоках нейтронов. Приведена топология макроячейки компаратора напряжения (КН). Рассмотрены особенности схемы КН, в котором предусмотрены меры для исключения насыщения транзисторов, уменьшения энергопотребления и задержки сигнала, улучшения температурной стабильности каскада сдвига уровня постоянного напряжения. Приводятся результаты моделирования переходных процессов в КН, который при высокой радиационной стойкости обеспечивает: время задержки при включении от 4,12 нс до 8,74 нс и при выключении – от 2,53 нс до 9,61 нс, максимальный выходной ток - 3,55 мА, входной ток - 0,37 мкА. Напряжение питания КН– ±5 В, ток потребления – 1,69 мА.
Микросхема БМК МН2ХА030 рекомендуется для решения задач космического приборостроения и физики высоких энергий.
Ключевые слова
 аналоговые интегральные схемы, базовый матричный кристалл, радиационная стойкость, криогенная электроника, компаратор напряжения
Ссылка на статью
 Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Будяков П.С. Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030 // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 4. С. 10-16.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D047.pdf

Copyright © 2009-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН