Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Алгоритм декомпозиции на основе метода имитации отжига для реконфигурируемых систем на кристалле  

Авторы
 Гаврилов С.В.
 Железников Д.А.
 Чочаев Р.Ж.
 Хватов В.М.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-1-199-204
УДК
 004.415.23:621.3.049.771.14

Аннотация
 Этап декомпозиции является одним из ключевых в маршруте проектирования схем в базисе реконфигурируемых систем на кристалле (РСнК). Декомпозиция позволяет повысить эффективность последующих этапов размещения элементов и трассировки межсоединений. На этапе декомпозиции решаются следующие задачи: а) повышение плотности компоновки за счет уменьшения количества создаваемых подсхем, б) уменьшение временных задержек за счет локализации критических путей внутри подсхем и использования быстрых локальных коммутационных ресурсов. На данный момент можно выделить следующие группы алгоритмов декомпозиции: (1) нисходящие алгоритмы, (2) восходящие или алгоритмы кластеризации, (3) различные эвристические алгоритмы. В данной работе представлен алгоритм на основе метода имитации отжига для оптимизации результатов декомпозиции в маршруте проектирования схем в базисе РСнК «Алмаз-14» с целевой оценочной функцией, основанной на правиле Рента. Приведено численное сравнение предложенного алгоритма со следующими тремя популярными методами: базовым алгоритмом кластеризации, алгоритмом Кернигана-Лина и алгоритмом кластеризации iRAC. Результаты численных экспериментов на наборах тестовых схем ISCAS-85 и ISCAS-89 показывают, что представленный алгоритм оптимизации в комбинации с алгоритмом iRAC имеет лучшую эффективность по сравнению с другими алгоритмами декомпозиции.
Ключевые слова
 автоматизация проектирования; кластеризация; правило Рента; алгоритм Кернигана-Лина; имитация отжига.
Ссылка на статью
 Гаврилов С.В., Железников Д.А., Чочаев Р.Ж., Хватов В.М. Алгоритм декомпозиции на основе метода имитации отжига для реконфигурируемых систем на кристалле // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 1. С. 199-204.
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D083.pdf

Copyright © 2009-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН