Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C  

Авторы
 Петросянц К.О.
 Исмаил-заде М.Р.
 Самбурский Л.М.
 Харитонов И.А.
Год публикации
 2018
DOI
 10.31114/2078-7707-2018-3-111-117
УДК
 621.382.323: 536.48

Аннотация
 Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров модели. Для всех моделей отработана унифицированная автоматизированная процедура экстракции параметров, обеспечивающая приемлемую для практических применений точность учёта электрических и температурных эффектов в диапазоне температуры от комнатной до 200°C.
Ключевые слова
 полевые транзисторы, МОП-транзисторы, JFET-транзисторы, температурное воздействие, экстремальные условия работы, компактные spice-модели, экстракция параметров модели
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2018. Выпуск 3. С. 111-117. doi:10.31114/2078-7707-2018-3-111-117
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2018/pdf/D137.pdf

Copyright © 2009-2021 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН