сейчас выбран русский язык переключиться на английский
На главную страницу
Контакты
Всё о подготовке статьи для конференции МЭС
Форум конференции МЭС
Новое на сайте
Кодекс этики публикаций
Форум конференции МЭС
   Главная   Контакты   Авторам   Кодекс этики публикаций   Форум  
Личный кабинет



Выход
Преимущества, предоставляемые участникам спонсорской программы конференции МЭС-2018
   Организационный комитет   Программный комитет   Технический комитет   Сборник трудов  
       
Зарегистрировано участников: 324 из 8 стран из 31 города из 100 организаций
 
 
Секция I    Секция II    Секция III    Секция IV    Секция V    Секция VI    Секция VII    Секция VIII    Секция IX    Секция X    Секция XI    Секция XII   
Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Секция XII
Четверг 4 Октября 2018
Зал 4 (11 этаж, справа)  10:00−11:00
Сессия 12.1: Физические явления в материалах микроэлектроники и их использование для разработки новой элементной базы - I
Руководитель: д.т.н., профессор Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Синявский Э.П. (Институт прикладной физики АН РМ), Соковнич С.М. (Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко) Энергия связанного состояния примесного центра нулевого радиуса в квантовой проволоке во внешних электрическом и магнитном полях

2. Островская Н.В., Скворцов М.С., Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Юсипова Ю.А. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Моделирование динамики намагниченности в трехслойных ферромагнитных структурах с закрепленной границей

3. Островская Н.В., Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Юсипова Ю.А. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Динамика намагниченности свободного слоя спинового вентиля при воздействии магнитных полей, перпендикулярных и параллельных плоскости слоев
Зал 4 (11 этаж, справа)  11:15−12:15
Сессия 12.2: Физические явления в материалах микроэлектроники и их использование для разработки новой элементной базы - II
Руководитель: д.т.н., профессор Скиданов В.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва)

1. Пугачёв А.А. (АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар", Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН), Иванова Г.А. (Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН) Модель функции передачи модуляции фоточувствительных СБИС при воздействии ОЗЧ

2. Дацук А.М., Балашов А.М. (IHP), Тимошенков В.П., Крупкина Т.Ю. (Национальный исследовательский университет «МИЭТ») Электротермическое моделирование источника опорного напряжения на основе ширины запрещенной зоны кремния

3. Калманович В.В., Степович М.А. (Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского) О возможности совместного применения матричного метода и аппарата обобщённых степеней Берса для математического моделирования процессов тепломассопереноса в полупроводниковых материалах электронной техники. Результаты предварительных исследований

Понедельник
1 Октября
Вторник
2 Октября
Среда
3 Октября
Четверг
4 Октября

Официальные партнеры конференции
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН НПК “Технологический центр” Фонд Сколково Фонд инфраструктурных и образовательных программ Intel Corporation

Спонсоры конференции
ОАО "ИНЭУМ им. И.С. Брука" ЗАО "ПКК Миландр" ОАО НПЦ "ЭЛВИС" Megratec-Inline Group

Copyright © 2009-2018 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Разработка сайта - ИППМ РАН
Форум       Обратная связь